簡易檢索 / 檢索結果

  • 檢索結果:共1筆資料 檢索策略: "氮化鎵".ckeyword (精準) and ckeyword.raw="功率元件"


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    具p型氮化鎵埋入層之氮化鎵基底功率金氧半場效電晶體之研究
    • 電子工程系 /105/ 碩士
    • 研究生: 洪楷程 指導教授: 莊敏宏
    • 近年來,氮化鎵(GaN)以被廣泛研究,跟矽比起來有優良的材料特性。此外,在氮化鎵鋁(AlGaN)與氮化鎵的異質接面處發現了高密度的電子,研究其原因是由於自發性極化效應(Spontaneous Pol…
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    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 2022/08/08 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)
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